IGBT

IGBT

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا آی جی بی تی ( IGBT ) در دسته نیمه هادی قدرت بوده و به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید جهت بالا بردن بازده و تسریع در سوئیچینگ استفاده می شود.
مدل های IGBT سمیکرون :
SKiiP 38NAB12T4V1 , SKiiP 24NAB12T4V1 , SKiiP 12NAB126V , SKiiP 03NEC066V3 , SKiiP 02NEC066V3 , SKiiP 01NEC066V3 , SKiiP 02NAC066V3 , SKiiP 01NAC066V3 , SKiiP 27GH066V1

برخی از زمینه های کاری پیمان الکتریک

پیمان الکتریک ارائه دهنده انواع لوازم برقی و اتوماسیون صنعتی با بهترین کیفیت و اطمینان در خرید می باشد.

محصولات قابل ارائه پیمان الکتریک

در بخش زیر می توانید محصولاتی که توسط کارشناسان ما قابل ارائه می باشد را مشاهده نمایید.

نیمه هادی SKiiP 14NAB066V1

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود که در دستگاه‌های جدید برای بازده بالا…

نیمه هادی SKiiP 13NAB066V1

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود که در دستگاه‌های جدید برای بازده بالا…

نیمه هادی SKiiP 12NAB066V1

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود که در دستگاه‌های جدید برای بازده بالا…

نیمه هادی SKiiP 11NAB066V1

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده یا IGBT کوتاه شده عبارت انگلیسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود که در دستگاه‌های جدید برای بازده بالا…

نیمه هادی SKiiP 38NAB12T4V1

ترانزيستور دو قطبي با درگاه عايق شده يا IGBT کوتاه شده عبارت انگليسي (Insulated gate bipolar transistor) جزو نيمه هادي قدرت بوده و در درجه اول به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي استفاده مي‌شود که در دستگاه‌هاي جديد براي بازده بالا…

نیمه هادی SKiiP 24NAB12T4V1

ترانزيستور دو قطبي با درگاه عايق شده يا IGBT کوتاه شده عبارت انگليسي (Insulated gate bipolar transistor) جزو نيمه هادي قدرت بوده و در درجه اول به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي استفاده مي‌شود که در دستگاه‌هاي جديد براي بازده بالا…