مشخصات فنی ماژول آی جی بی تی سمیکرونSKM200GB12E4 SEMIKRON

ترانزیستور دو طرفه عایق بندی شده که به اختصار به آن IGBT آی جی بی تی می‌گویند. قطعه‌ ای نیمه‌ رسانا که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد. در واقع، تقویت کننده ورودی بزرگ، سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده‌اند.
IGBT در وهله اول به عنوان یک سوییچ الکترونیکی استفاده می‌شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع کاربرد دارد.ها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدل‌ها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفت‌ها و BJT ها در آن‌جا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار می‌گیرند.پ