آی جی بی تی (IGBT)
آی جی بی تی (IGBT) مخفف عبارت Insulated-gate Bipolar Transistor می‌باشد.
ترانزیستور آی جی بی تی، بهترین بخش‌های دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام آی جی بی تی ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.
آی جی بی تی یا ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا آی جی بی تی (IGBT) در دسته نیمه هادی قدرت بوده و به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود که در دستگاه‌های جدید جهت بالا بردن بازده و تسریع در سوئیچینگ استفاده می‌شود.
آی جی بی تی سمیکرون، همان گونه که از نامش پیداست، مجهز به فناوری گیت ایزوله شده MOSFET و نیز مشخصه یک ترانزیستور دو قطبی متداول است. نتیجه چنین ترکیبی، سوئیچینگ خروجی و مشخصه هدایت یک ترانزیستور دو قطبی را دارد، اما مانند یک ماسفت، ولتاژ آن کنترل شده است.
آی جی بی تی‌ها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدل‌ها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار می‌گیرند. ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آن‌ها پایین است. از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفت‌های قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد. همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایین‌تر را دارا است. از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.
میزان تقویت کنندگی آی جی بی تی، برابر با نسبت سیگنال خروجی به سیگنال ورودی آن است. برای یک BJT عادی، مقدار بهره تقریباً برابر با نسبت جریان خروجی به جریان ورودی است که بتا (β) نامیده می‌شود.
در یک ماسفت، جریان ورودی به دلیل ایزوله بودن گیت از جریان کانال اصلی، صفر است. بنابراین، بهره FET برابر با نسبت تغییر جریان خروجی به تغییر ولتاژ ورودی است که منجر می‌شود این نیمه‌هادی، یک قطعه هدایت انتقالی باشد که در مورد IGBT نیز چنین است. در نتیجه IGBT را می‌توانیم به عنوان یک BJT قدرت در نظر بگیریم که جریان بیس آن با یک ماسفت تغذیه می‌شود.
ترانزیستور آی جی بی تی را می‌توان مانند BJT یا MOSFET در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک به کار برد. اما از آن‌جایی که IGBT تلفات هدایت کم BJT را با سرعت بالای سوئیچینگ ماسفت قدرت ارائه می‌کند، یک سوئیچ حالت جامد بهینه است که برای استفاده در کاربردهای الکترونیک قدرت ایده‌آل است.
نوع پیشرفته آی جی بی تی دارای بازده بالا و سوییچ سریع (سرعت قطع بالا) است.
این وسیله باعث سوییچ کردن و تغییر نیروی برق در بسیاری از وسایل مدرن مانند ماشین های برقی، قطارها، مترو، یخچال‌ها، لامپ‌ها و سیستم‌های مطبوع می‌شود.
IGBT مشخصات ترانزیستور Mosfet با جریان بالا و ولتاژ پایین ترکیب می‌کند.IGBT ترکیبی از مشخصات ترانزیستور Mosfet و BJT می‌باشد.
این وسیله در UPS نیز کاربرد دارد.
در نتیجه‌گیری می‌توان گفت که آی جی بی تی (IGBT) به عنوان یک ترانزیستور پیشرفته، ویژگی‌های منحصر به فردی را از ترکیب دو نوع ترانزیستور دیگر یعنی BJT و MOSFET به ارمغان می‌آورد. این ویژگی‌ها شامل امپدانس ورودی بالا و سرعت سوئیچینگ عالی است که باعث می‌شود آی جی بی تی برای استفاده در کاربردهای الکترونیک قدرت ایده‌آل باشد. با توانایی کار در ولتاژهای بالا و جریان‌های زیاد، این دستگاه به راحتی می‌تواند در سیستم‌های پیچیده‌ای مانند اینورترها، مبدل‌ها و منابع تغذیه مورد استفاده قرار گیرد و از تلفات انرژی کم‌تری برخوردار باشد.
با توجه به مزایای عملکردی و قابلیت‌های منحصر به فرد آی جی بی تی، این ترانزیستور به یک گزینه محبوب در طراحی و ساخت وسایل مدرن تبدیل شده است. از وسایل برقی خانگی گرفته تا سیستم‌های حمل و نقل، آی جی بی تی نقش کلیدی در بهینه‌سازی عملکرد و افزایش کارایی این دستگاه‌ها ایفا می‌کند. با توجه به رشد روزافزون فناوری و تقاضای بازار، می‌توان انتظار داشت که استفاده از آی جی بی تی در آینده بیشتر از پیش گسترش یابد و به پیشرفت‌های جدیدی در حوزه الکترونیک قدرت منجر شود.
جهت خرید و سفارش با شماره‌های زیر در ارتباط باشید.
33993055 21 98+ – 33999193 21 98+
واتساپ: 09127701494
