ترانزيستور دو قطبي (آی جی بی تی دوبل SKM100GB12T4) با درگاه عايق شده يا IGBT کوتاه شده عبارت انگليسي (Insulated gate bipolar transistor) جزو نيمه هادي قدرت بوده و در درجه اول به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي استفاده مي‌شود که در دستگاه‌هاي جديد براي بازده بالا و سوئيچينگ سريع استفاده مي‌شود. اين سوئيچ برق در بسياري از لوازم مدرن از جمله خودروهاي برقي، قطار، يخچال‌ها، تردميل، دستگاه‌هاي تهويه مطبوع و حتي سيستم‌هاي استريو و تقويت کننده‌ها استفاده مي‌شود. همچنين در ساخت انواع اينورترها، ترانسهاي جوش و UPS کاربرد دارد. 

ماژول SKM100GB12T4 یک ماژول IGBT دو تایی قدرت 1200 ولت 160 آمپر، مناسب برای کنترل موتور و اینورتر، مدارات سوییچینگ قدرت می باشد.

آی جی بی تی دوبل 100 آمپر SKM100GB12T4 IGBT سمیکرون  SEMIKRON

سميکرون SKM100GB12T4 | DOUBLE IGBT ماژول آی جی بی تی

برخی از کد های ای جی بی تی IGBT سمیکرون semikron:

• SKM100GB12T4 ای جی بی تی دوبل 
• SKM200GB12T4 دوبل ای جی بی تی
• SKM300GB12T4 دوبل ای جی بی تی
• SKM75GB12T4 ای جی بی تی
• SKM400GB12T4 ای جی بی تی دوبل

ای جی بی تی 100 آمپر | SKM100GB128D آی جی بی تی سمیکرون 

کدهای فوق جز کالای اصل با بهترین کیفیت و قیمت هستند.

جهت سفارش و ارسال کالا در سریع ترین زمان ممکن با ما تماس بگیرید.

33992998 21 0098 
33993009 21 0098

واتس آپ : 09127701494

 کاربردهای ای جی بی تی SKM100GB12T4

• در ساخت انواع اينورترها و سولار
• ترانسهاي جوش ، کولر گازی 
• ماشین های برقی و قطارها
• سافت استارتر 
• منابع تغذیه UPS
•  رکتیفایر

در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده می‌شود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می‌کند. به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده می‌شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد می‌شود. المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد. این قطعه جدید IGBT ای جی بی تی نام دارد.

BJTها در حالت روشن (وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی‌تر است. MOSFETها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است. IGBT یک ترانزیستوری است که مزایای BJT و MOSFET را باهم دارد مثل:

• امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
• افت ولتاژ و تلفات کم مانند BJT
• نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است.

اسامی پایه‌ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای BJT. در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده می‌کنید که دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است. سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار می‌گیرد؛ و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می‌باشد؛ و بیشتر در کوره‌های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می‌شود؛ و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا می‌باشد. مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا می‌باشد.