نیمه هادی SKM100GB12T4 | دوبل آی جی بی تی سمیکرون SKM100GB12T4
امتیازدهی 5.00 از 5 در 1 امتیازدهی مشتری
(1 بررسی مشتری)
دسته: سمیکرون
3,300,000 تومان
اصالت گارانتی کالا
ارسال سریع
تضمین قیمت
موجود در انبار
توضیحات
آی جی بی تی SKM100GB12T4:
ترانزيستور دو قطبي (آی جی بی تی دوبل SKM100GB12T4) با درگاه عايق شده يا IGBT کوتاه شده عبارت انگليسی (Insulated gate bipolar transistor) جزو نيمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي استفاده ميشود که در دستگاههای جديد براي بازده بالا و سوئيچينگ سريع استفاده میشود.
اين سوئيچ برق در بسياری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، يخچالها، تردميل، دستگاههای تهويه مطبوع و حتی سيستمهای استريو و تقويت کنندهها استفاده ميشود. همچنين در ساخت انواع اينورترها، ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.
سمیکرون SKM100GB12T4:
سمیکرون skm100gb12t4 دوبل با ولتاژ 1200 و آمپری سری igbt skm100 با کاربرد جوشکاری الکترونیکی تا فرکانس 20 کیلو هرتز، درایو اینورتر AC و UPS در پیمان الکتریک با بهترین قیمت ارائه میگردد.
BJTها در حالت روشن (وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانیتر است. MOSFETها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است. IGBT یک ترانزیستوری است که مزایای BJT و MOSFET را باهم دارد مثل:
- امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET
- افت ولتاژ و تلفات کم مانند BJT
- نظیر BJT دارای ولتاژ حالت روشن (وصل) کوچکی است.
سميکرون SKM100GB12T4 | DOUBLE IGBT ماژول آی جی بی تی
ماژول SKM100GB12T4 یک ماژول IGBT دو تایی قدرت 1200 ولت 160 آمپر، مناسب برای کنترل موتور و اینورتر، مدارات سوییچینگ قدرت می باشد.
آی جی بی تی دوبل 100 آمپر SKM100GB12T4 IGBT سمیکرون SEMIKRON
برخی از کد های ای جی بی تی IGBT سمیکرون semikron:
- SKM100GB12T4 ای جی بی تی دوبل
- SKM200GB12T4 دوبل ای جی بی تی
- SKM300GB12T4 دوبل ای جی بی تی
- SKM75GB12T4 ای جی بی تی
- SKM400GB12T4 ای جی بی تی دوبل
ای جی بی تی 100 آمپر | SKM100GB128D آی جی بی تی سمیکرون
کدهای فوق جز کالای اصل با بهترین کیفیت و قیمت هستند.
جهت سفارش و ارسال کالا در سریع ترین زمان ممکن با ما تماس بگیرید.
33992998 21 0098
33993009 21 0098
واتس آپ : 09127701494
کاربردهای ای جی بی تی SKM100GB12T4:
-
- در ساخت انواع اينورترها و سولار
- ترانسهاي جوش ، کولر گازی
- ماشین های برقی و قطارها
- سافت استارتر
- منابع تغذیه UPS
- رکتیفایر
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمیکند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.
به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد میشود. المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای ۲قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد. این قطعه جدید IGBT ای جی بی تی نام دارد.
اسامی پایهها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای BJT. در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده میکنید که دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است.
سرعت سوییچ کردن این نوع دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار میگیرد؛ و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس میباشد؛ و بیشتر در کورههای القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده میشود؛ و در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المانهای توان بالا میباشد. مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریانهای بالا میباشد.
توضیحات تکمیلی
کد محصول |
SKM100GB12T4 |
---|---|
ولتاژ |
1200 ولت |
جریان |
100 آمپر |
کاتالوگ |
دارد |
نظرات (1)
1 دیدگاه برای نیمه هادی SKM100GB12T4 | دوبل آی جی بی تی سمیکرون SKM100GB12T4
دیدگاه خود را بنویسید لغو پاسخ
امیر سلمانیان –
حداکثر دما قابل تحمل چقدر است ؟